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MOS管在開關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對設(shè)計的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開關(guān)電源設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開關(guān)電源中的具體作用，并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對電源整體性能的影響。
2025-01-25
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大電流、高性能降壓-升壓穩(wěn)壓器
許多應(yīng)用都需要寬輸入和/或輸出電壓范圍，例如電池供電系統(tǒng)。在輸入電壓可能低于或高于輸出電壓的情況下，電源需要調(diào)節(jié)其輸出電壓。只要不需要接地隔離，四開關(guān)降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)就能為此類應(yīng)用提供超高的效率和功率密度。此外，降壓-升壓穩(wěn)壓器非常靈活，可用作單純的降壓電源或升壓（帶短路保護(hù)）電源。
2025-01-20
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PCI Express Gen5：自動化多通道測試
對高速鏈路（如PCI Express?）的全面表征需要對被測鏈路的發(fā)送端（Tx）和接收端（Rx）進(jìn)行多差分通道的測量。由于需要在不同通道之間進(jìn)行同軸連接的物理切換，這對于完全自動化的測試環(huán)境來說是一個挑戰(zhàn)。引入RF開關(guān)矩陣允許多通道測試中的物理連接切換，并實(shí)現(xiàn)自動化軟件測試。
2025-01-17
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當(dāng)過壓持續(xù)較長時間時，使用開關(guān)浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的MOSFET散熱超過其處理能力時切斷電流。
2025-01-13
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機(jī)從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu)，由功率芯片和具有驅(qū)動及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC，預(yù)先調(diào)整了開關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動電路、保護(hù)電路、電平轉(zhuǎn)換電路的HVIC（High Voltage IC），可通過CPU或微機(jī)的輸入信號直接控制，通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸，并實(shí)現(xiàn)高可靠性。另外，內(nèi)置BSD（Bootstrap Diode），可減少外圍元件數(shù)量。因此，DIPIPM使逆變器外圍電路的設(shè)計變得更加容易，有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設(shè)計時間。
2025-01-09
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基于SiC的高電壓電池斷開開關(guān)的設(shè)計注意事項
得益于固態(tài)電路保護(hù)，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計高電壓固態(tài)電池斷開開關(guān)時，需要考慮幾項基本的設(shè)計決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池斷開開關(guān)的半導(dǎo)體封裝時的一些設(shè)計注意事項，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護(hù)限值的重要性。
2025-01-08
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PNP 晶體管：特性和應(yīng)用
您可能很清楚，現(xiàn)代電氣工程乃至整個現(xiàn)代世界都與晶體管設(shè)備有著千絲萬縷的聯(lián)系。這些組件既充當(dāng)開關(guān)又充當(dāng)放大器。盡管場效應(yīng)晶體管目前在電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但初的晶體管是雙極晶體管，并且很快個雙極結(jié)晶體管（BJT）就緊隨其后。
2025-01-07
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原來為硅MOSFET設(shè)計的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET?
眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動。
2025-01-07
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ESR 對陶瓷電容器選擇的影響（下）
在樓氏電容事業(yè)部，我們深知 ESR 對這些高功率或高頻率電路的影響，因?yàn)?Q 值在這些電路中至關(guān)重要。同時，我們也意識到，由于ESR會隨著設(shè)備工作頻率的改變而變化，因此并不存在一種適用于所有情況的超低ESR電容器。為此，我們精心打造了一系列II類陶瓷電介質(zhì)電容器（根據(jù)芯片尺寸選用BX或X7R材料），這些電容器不僅具備卓越的容積效率，而且壓電效應(yīng)微乎其微。我們專門針對惡劣環(huán)境設(shè)計了一系列產(chǎn)品，例如在大功率寬帶耦合和開關(guān)電源中，以確保產(chǎn)品的可靠運(yùn)行。
2025-01-03
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低功率開關(guān)電容器帶隙，第 2 部分
在本期文章中，對傳統(tǒng)的帶隙電路進(jìn)行了誤差分析，然后解釋了如何使用開關(guān)電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統(tǒng)的帶隙參考實(shí)現(xiàn)方案及其相關(guān)的誤差源。
2024-12-31
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為何混合型交流浪涌保護(hù)器是浪涌保護(hù)首選？
現(xiàn)在的電子設(shè)備無處不在且發(fā)展迅速，其越來越敏感的電路在很大程度上依賴前端保護(hù)，因?yàn)樗鼈円尤腚娏A(chǔ)設(shè)施，而這些基礎(chǔ)設(shè)施可能有或者沒有最新的電壓浪涌和瞬態(tài)保護(hù)功能。這些瞬態(tài)事件可能是由雷擊、開關(guān)動作或類似的電壓浪涌事件造成的結(jié)果，會導(dǎo)致過電壓和過電流事件，進(jìn)而損壞敏感電子設(shè)備或者降低其性能。
2024-12-16
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用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動智能的可靠性評估平臺
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。
2024-12-12
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