【導(dǎo)讀】現(xiàn)在的電子設(shè)備無(wú)處不在且發(fā)展迅速，其越來(lái)越敏感的電路在很大程度上依賴(lài)前端保護(hù)，因?yàn)樗鼈円尤腚娏A(chǔ)設(shè)施，而這些基礎(chǔ)設(shè)施可能有或者沒(méi)有最新的電壓浪涌和瞬態(tài)保護(hù)功能。這些瞬態(tài)事件可能是由雷擊、開(kāi)關(guān)動(dòng)作或類(lèi)似的電壓浪涌事件造成的結(jié)果，會(huì)導(dǎo)致過(guò)電壓和過(guò)電流事件，進(jìn)而損壞敏感電子設(shè)備或者降低其性能。
本文簡(jiǎn)要討論 GDT 和 MOV 浪涌保護(hù)器的工作原理，然后以 Bourns 的實(shí)際 IsoMOV 混合保護(hù)器為例考察其特點(diǎn)。文章最后說(shuō)明如何通過(guò)實(shí)施 IsoMOV 技術(shù)來(lái)滿足 IEC/UL62368-1 標(biāo)準(zhǔn)。
現(xiàn)在的電子設(shè)備無(wú)處不在且發(fā)展迅速，其越來(lái)越敏感的電路在很大程度上依賴(lài)前端保護(hù)，因?yàn)樗鼈円尤腚娏A(chǔ)設(shè)施，而這些基礎(chǔ)設(shè)施可能有或者沒(méi)有最新的電壓浪涌和瞬態(tài)保護(hù)功能。這些瞬態(tài)事件可能是由雷擊、開(kāi)關(guān)動(dòng)作或類(lèi)似的電壓浪涌事件造成的結(jié)果，會(huì)導(dǎo)致過(guò)電壓和過(guò)電流事件，進(jìn)而損壞敏感電子設(shè)備或者降低其性能。
諸如氣體放電管 (GDT) 和金屬氧化物壓敏電阻 (MOV) 等現(xiàn)有的低成本浪涌保護(hù)技術(shù)能夠轉(zhuǎn)移或抑制浪涌能量，以阻止浪涌能量到達(dá)被保護(hù)設(shè)備。這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，但它們?cè)谑澳芴幚淼乃矐B(tài)數(shù)量都是有限制的。另外，GDT 可能不會(huì)完全切斷電流，而 MOV 在經(jīng)過(guò)若干次瞬態(tài)事件激活后，可能會(huì)因熱擊穿而失效。
為了保持 GDT 和 MOV 的優(yōu)點(diǎn)并減少其性能上的不足，已經(jīng)出現(xiàn)了集成混合技術(shù)組件的單器件，且在給定的浪涌保護(hù)水平下，器件的物理尺寸相對(duì)較小。雖然集成組件的互補(bǔ)性提高了兩者的性能，延長(zhǎng)了運(yùn)行壽命，但要做到高效率，還需要認(rèn)真匹配 GDT 和 MOV 元件。經(jīng)過(guò)正確實(shí)施，這些 IsoMOV? 混合浪涌保護(hù)器特別有助于確保符合 IEC/UL62368-1 標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)是關(guān)于信息技術(shù)和音頻/視頻設(shè)備危險(xiǎn)方面的標(biāo)準(zhǔn)。
SPD的工作原理
浪涌保護(hù)組件有兩種工作方式，一種是用作開(kāi)關(guān)，將浪涌轉(zhuǎn)移到地面（有時(shí)稱(chēng)為“撬棍”），另一種是通過(guò)吸收和耗散瞬時(shí)能量，將最大電壓箝制在較低的水平，從而限制浪涌電壓。
例如，GDT 就是一種撬棍式抑制器。這種抑制器由位于氬氣等非反應(yīng)性氣體中的火花間隙組成，并橫跨電源線接線。如果電壓水平低于GDT 的擊穿電壓，該抑制器基本上處于高阻抗“關(guān)斷”狀態(tài)。如果一個(gè)瞬態(tài)使電壓水平升高并超過(guò) GDT 的擊穿電壓，GDT 就會(huì)進(jìn)入導(dǎo)通或“接通”狀態(tài)（圖 1）。
由于 GDT 橫跨電源輸入，所以基本上使電源形成了短路。這將觸發(fā)熔斷器、斷路器或其他串行保護(hù)裝置，從而保護(hù) GDT 下游的電路。請(qǐng)注意，在關(guān)斷狀態(tài)下電壓高，電流小。在導(dǎo)通狀態(tài)下則正好相反，且除了狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間外功率耗散極小。重置 GDT 狀態(tài)需要將輸入電壓降低到擊穿電壓以下。在電源線輸入電壓沒(méi)有下降到足夠低的情況下，GDT 可能不會(huì)復(fù)位，并繼續(xù)傳導(dǎo)“跟隨”電流，使其保持導(dǎo)通狀態(tài)。GDT 保持導(dǎo)通的可能性是這種浪涌保護(hù)技術(shù)的一個(gè)重大限制。
MOV 是一種鉗位裝置。與 GDT 一樣，該器件橫跨電源線布置。正常情況下，MOV 處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，只吸收很小的泄漏電流（圖 2）。
發(fā)生電壓浪涌時(shí)，MOV 的阻抗下降，吸收更多的電流，從而耗散功率；這會(huì)降低并限制瞬態(tài)電壓。瞬態(tài)結(jié)束時(shí)，MOV的阻抗增加并恢復(fù)到正常狀態(tài)。MOV 的額定值是基于其能夠耐受此類(lèi)瞬態(tài)事件的數(shù)量。經(jīng)過(guò)一些瞬態(tài)事件后，MOV 的漏電流可能會(huì)增加。這將增加器件的耗散功率，導(dǎo)致發(fā)熱。發(fā)熱會(huì)增大漏電流，并可能使 MOV 進(jìn)入熱擊穿狀態(tài)，從而造成災(zāi)難性器件故障。
這兩種浪涌保護(hù)技術(shù)本身都不是很理想。然而，如果將 GDT 和 MOV 與電源線串聯(lián)，它們之間的特性互補(bǔ)就會(huì)變得很明顯。在正常工作狀態(tài)下，GDT 斷開(kāi)，MOV 中無(wú)漏電流。在電壓瞬態(tài)期間，GDT 觸發(fā)，從而將 MOV 接入電路。然后 MOV 鉗制瞬態(tài)浪涌電壓。瞬態(tài)結(jié)束后，MOV 斷開(kāi)，減少流經(jīng) GDT 的電流，也使得 GDT 關(guān)斷。
對(duì)于 GDT 和 MOV 的串聯(lián)，需要仔細(xì)匹配其特性，以便能夠精確地相互補(bǔ)充。分立實(shí)施方式從設(shè)計(jì)到制造、測(cè)試和包裝都會(huì)受到各種因素的影響，使得設(shè)計(jì)者很難找到良好的匹配方案。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，Bourns 的 IsoMOV 混合保護(hù)器將一組精心匹配的 MOV 和一個(gè) GDT 元件整合到單一封裝中，該封裝比單組件體積要小得多（圖 3）。
（作者：Art Pini，來(lái)源：DigiKey得捷）
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
全局快門(mén)圖像傳感器選型指南：關(guān)鍵要點(diǎn)解析
協(xié)同創(chuàng)新，助汽車(chē)行業(yè)邁向電氣化、自動(dòng)化和互聯(lián)化的未來(lái)
芝識(shí)課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項(xiàng)】—深入電子設(shè)計(jì)，需要這份指南（一）
無(wú)輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題
