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二级滤波器技术：实现低于2mV电源纹波的有效方案
现代高性能处理器和片上系统（SoC）通常集成精密的模拟前端和串行通信接口，对供电电源的质量提出极高要求。为确保信号完整性和系统性能，负载点电源的输出电压纹波常需低于2mV，这仅为常规开关电源设计的十分之一。
2025-09-04
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共模电感技术深度解析：噪声抑制、选型策略与原厂竞争格局
在高速数字电路和开关电源系统中，共模噪声如同无形的电磁污染，通过寄生电容和空间辐射耦合，威胁着电子设备的稳定运行。共模电感（Common Mode Choke）作为电磁兼容设计的核心元件，在百kHz至GHz频段内构建起抑制电磁干扰的关键屏障6。其独特的双绕组磁路结构能够区分共模干扰与差模信号：对共模噪声呈现高阻抗进行阻隔，对有用差模信号则保持低阻抗通路。这种选择性滤波特性，使其成为现代电子设备通过严格EMC认证不可或缺的元件。
2025-07-22
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3μV噪声极限！正弦波发生器电源噪声净化的七阶降噪术
当10MHz正弦波的电源抑制比（PSRR）下降20dB，输出信号总谐波失真（THD）将恶化10倍！高频开关电源的百mV级纹波、LDO基准源的μV级噪声，甚至PCB地弹效应，都可能在输出频谱上产生-60dBc的杂散。本文揭示三类电源噪声（低频纹波/高频开关/地回路干扰）的耦合路径，并提供从芯片级到系统级的七重净化方案，助您将电源噪声压至<3μV RMS。
2025-06-30
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μV级精度保卫战：信号链电源噪声抑制架构全解，拒绝LSB丢失！
在精密测量、医疗仪器及工业传感系统中，信号链的μV级精度直接决定系统性能上限。而电源噪声，常以隐形杀手的姿态吞噬ADC/DAC的有效位数——当1mV电源纹波可导致12位ADC丢失4个LSB时，电源架构选型便成为精度保卫战的核心战场。本文从噪声频谱与拓扑本质出发，拆解LDO、开关电源及混合架构的噪声基因，并通过多场景实测数据，揭示高精度信号链的电源设计法则。
2025-06-19
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高频时代的电源革命：GaN技术如何颠覆传统开关电源架构？
在电力电子系统对能效和功率密度要求日益严苛的背景下，氮化镓（GaN）技术已成为推动开关模式电源（SMPS）发展的核心动力。相较于传统硅基器件，GaN凭借其3.4eV的宽禁带特性、更高的电子迁移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的导通电阻（RDS(ON)），可将开关频率提升至兆赫级，同时减少30%以上的能量损耗。然而，其实际应用中仍面临驱动设计、热管理、电磁兼容性等挑战。以半桥降压转换器为例，GaN开关的栅极电压耐受值更低（通常<6V），且快速切换（dV/dt达100V/ns）易引发寄生振荡和电磁干扰（EMI），这对电路布局和驱动控制提出了更高要求。
2025-06-09
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MOS管在开关电源中的核心作用及其关键性能参数对设计的影响
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)是现代电子技术中不可或缺的元器件之一，在开关电源设计中扮演着至关重要的角色。开关电源作为现代电力转换和管理的核心组件，其性能与效率在很大程度上依赖于MOS管的选择与应用。本文将深入探讨MOS管在开关电源中的具体作用，并剖析其关键性能参数对电源整体性能的影响。
2025-01-25
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ESR 对陶瓷电容器选择的影响（下）
在楼氏电容事业部，我们深知 ESR 对这些高功率或高频率电路的影响，因为 Q 值在这些电路中至关重要。同时，我们也意识到，由于ESR会随着设备工作频率的改变而变化，因此并不存在一种适用于所有情况的超低ESR电容器。为此，我们精心打造了一系列II类陶瓷电介质电容器（根据芯片尺寸选用BX或X7R材料），这些电容器不仅具备卓越的容积效率，而且压电效应微乎其微。我们专门针对恶劣环境设计了一系列产品，例如在大功率宽带耦合和开关电源中，以确保产品的可靠运行。
2025-01-03
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车用开关电源的开关频率定多高才不影响EMC？
本文探讨了汽车电力应用中开关电源的开关频率如何确定，以及高开关频率对电磁兼容性（EMC）的影响。文章分析了不同应用场景下EMC标准的差异，以及如何通过系统评估和电路板布局优化来满足这些标准。
2024-10-31
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【测试案例分享】使用示波器自动化测量电源开关损耗
开关电源是当前电子信息飞速发展不可或缺的电源方式之一。开关电源以其功耗小、效率高、节能效果显著的优势，广泛应用于各种消费类电子以及各类供电系统当中，成为一种主流的电源产品。
2024-08-25
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如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序？
电源管理IC通常包含称为软启动的内置功能。软启动功能主要见于开关电源中，但也可见于线性电源(LDO)中，作用是在启动期间以受控方式逐渐提高输出电压，从而限制冲击电流，这有助于防止初始通电时电流或电压突然激增。大多数开关电源都带有软启动功能，该功能可以从外部调节或在内部设置。
2024-08-23
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SW与电感之间的铺铜面积越大越好吗？
开关电源是以功率MOS为核心的电能变换器，除了芯片自身的参数会对电能质量产生较大影响外，PCB的设计也是非常重要。
2024-06-19
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MOSFET器件的高压CV测试详解
MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。
2024-06-08
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