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具有更高效率與優勢的碳化硅技術
碳化硅（SiC）技術具有比傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發展趨勢與在儲能系統（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態特性分析
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第一部分，將重點介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態特性。
2023-07-13
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針對電動馬達控制，在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時的考慮
針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應用中的能耗；因此，為電動馬達及其的驅動指定高效率的設計，以適合每項特定應用變得更加重要。
2023-06-28
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用
英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。
2023-06-26
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SMPD先進絕緣封裝充分發揮SiC MOSFET優勢
SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
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相較IGBT，SiC如何優化混動和電動汽車的能效和性能？
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
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滿足當今電源需求的全系列柵極驅動電源產品
電源是電子設備的基礎，其中的柵極驅動器是穩定提供設備電源的關鍵。柵極驅動器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產生高電流驅動輸入。本文將為您介紹柵極驅動電源與DC-DC轉換器的技術概念，以及由Murata推出的隔離柵極驅動電源產品系列的功能特性。
2023-06-02
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安森美和上能電氣攜手引領可持續能源應用的發展
智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布上能電氣（Sineng Electric）將在其公用事業級太陽能逆變器和引領業界的200 kW 儲能系統（ESS）中集成安森美的EliteSiC SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模塊（PIM）。兩家公司合作開發的優化方案，將最大程度地提高太陽能逆變器及儲能變流器的性能。
2023-05-17
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IGBT模塊是如何失效的？
IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-05-11
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瑞能半導體在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解決方案
【2023年5月9日 - 德國紐倫堡】當地時間5月9日，全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護器件以及功率模塊，豐富的產品矩陣彰顯了瑞能半導體領先的產品實力和對未來電力電子行業可持續發展的思考，受到了與會者的高度關注。CEO Markus Mosen先生率領公司研發工程師、市場部、銷售部組成的參展團隊出席了活動現場。
2023-05-10
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