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三種常見人體感應傳感器的區別與實戰方案
人體感應傳感器能檢測人體和物體接近，并給出變化的電平信號，實現開關和喚醒的功能，實現人體存在、微動、近距喚醒等多種低功耗雷達傳感器的場景應用。在設備智能化，低碳節能和改善用戶體驗方面，移動感應器市場需求顯著增加。
2025-03-18
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ST 新款微型單片降壓轉換器，用于智能電表、家電和工業電源轉換器提供低電壓電源
意法半導體新款微型單片降壓轉換器DCP3601集成大量的功能，具有更高的設計靈活性，可以簡化應用設計，降低物料清單成本。這款芯片內置功率開關與補償電路，構建完整的輸出電壓設置電路，僅需電感器、自舉電容、濾波電容、反饋電阻等6個外部元件。
2025-03-05
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基于 MHz 開關頻率的器件助力實現 DC-DC 轉換器和 EMI 濾波器的小型化
對于 DC-DC 電源轉換器而言，使系統小型化并提高整體功率密度的一種顯著方法是通過更高頻率的開關。然而，盡管開關頻率超過 1.3 MHz 的系統具有潛在優勢，但迫于技術挑戰，許多設計人員直到現在仍在使用較低的頻率，例如 100 kHz 或更低……。閱讀本文了解使用高密度電源模塊進行設計如何改變這一現狀。
2025-03-04
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STSPIN32G0上新兩款低壓產品，design win見證卓越
意法半導體 (ST) 的STSPIN32系列產品集成了MCU與功率開關管柵極驅動器，不僅節省了成本，還簡化了設計流程，整個系統的體積最多可縮小65%，這些特性讓它在市場上脫穎而出備受青睞。
2025-02-27
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硅基功率開關已經轉向GaN開關了嗎？
在開關模式電源中使用GaN開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關模式電源中的未來前景。如今，電源管理設計工程師常常會問道：現在應該從硅基功率開關轉向GaN開關了嗎？
2025-02-26
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自動測試設備應用中PhotoMOS開關的替代方案
人工智能(AI)應用對高性能內存，尤其是高帶寬內存(HBM)的需求不斷增長，芯片設計因此變得更加復雜。自動測試設備(ATE)廠商是驗證這些芯片的關鍵一環，目前正面臨著越來越大的壓力，需要不斷提升自身能力以滿足這一需求。傳統上，在存儲器晶圓探針電源應用中，PhotoMOS開關因其良好的低電容乘電阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于減少信號失真，改善開關關斷隔離度，同時實現更快的開關速度和更低的插入損耗。
2025-02-23
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第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。
2025-02-20
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設計高壓SIC的電池斷開開關
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統，由單相或三相電網功率或儲能系統（ESS）提供動力，可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導體技術的設計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關定義了半導體包裝，以及表征系統寄生電感和過度流動保護限制的重要性。
2025-02-16
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低壓電源MOSFET設計
低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關重要。
2025-02-14
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迎刃而解——華大九天Polas利器應對功率設計挑戰
電源管理集成電路（PMIC）設計涉及電源轉換、電壓調節、電流管理等核心領域。隨著技術節點的演進，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯層的電阻在整體導通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數提取的準確性造成了影響；封裝對芯片內電氣特性的影響亦愈發顯著。這些因素共同對功率設計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來了新的挑戰。此外，如何高效地驅動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關切換過程中的穿通漏電現象，也成為功率設計領域的核心難題。
2025-02-13
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無需專用隔離反饋回路的簡潔反激式控制器設計
傳統的隔離型反激式轉換器的架構中，轉換器的功率等級通常可達60W左右，通過調整變壓器的匝數比，借助原邊開關和可以將電源電壓轉換為輸出電壓。有關輸出電壓的信息會通過反饋路徑傳輸到原邊的PWM發生器，以使該輸出電壓盡可能保持穩定。如果輸出電壓太高或太低，則將調整PWM發生器的占空比。
2025-02-12
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使用MSO 5/6內置AWG進行功率半導體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
- 智能設備的“耳朵”：MEMS麥克風技術與選型指南
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